7月11日晚間，銀河微電(688689)發布公告，公司擬以3.1億元投資實施“高端集成電路分立器件產業化基地一期廠房建設項目”，旨在提升公司集成電路分立器件產品的生產加工能力，擴大生產規模。

公告顯示，本次投資資金來源為公司自有資金或自籌資金，建設周期30個月，計劃通過購置土地及開展廠房土建工程，為后續高端集成電路分立器件產業化基地建設奠定基礎。

作為國內領先的半導體分立器件制造商，銀河微電主要產品包括小信號器件、功率器件、光電器件、電源管理IC及第三代半導體（SiC、GaN）器件，產品廣泛應用于汽車電子、消費電子、工業控制、新能源及5G通信等領域。

近年來，受益于下游需求的強勁驅動，我國半導體分立器件行業市場規模持續擴大，業內企業相繼收獲紅利。2022年至2024年，銀河微電營業收入分別為6.76億元、6.95億元、9.09億元，呈逐年上升態勢。公司表示，受生產場地、設備及人力資源的限制，當前產能已難以滿足日益增長的市場需求，本次推進相關半導體分立器件產能規模擴張，可促進業務發展，進一步提升盈利水平。

目前，硅材料平臺仍然是主流的半導體分立器件工藝平臺，并將在未來相當一段時間內占據主要市場，但新的半導體材料，如SiC、GaN工藝平臺正在逐步走向成熟，并在新能源汽車、光伏逆變器等場景的應用占比顯著提升。

2024年，公司適時優化產品結構，重點提升MOS產品、TVS及穩壓管產品的銷售占比，推動產銷量穩步增長，特別是在車規級半導體器件產業化項目方面，客戶拓展取得顯著突破。與此同時，進一步推進光電器件及IGBT器件擴產，加大對新增設備投入。

為搶抓市場機遇，銀河微電持續加快高端產品研發及產業化進度。目前，公司初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設計能力，并且實現了小批量應用。

在新產業布局方面，銀河微電“車規級半導體器件產業化”項目進入產能爬坡階段，產品涵蓋IGBT、SiC MOSFET等，獲得多家車企供應鏈認證，聚焦新能源汽車的電機控制、車載充電系統及ADAS領域，滿足AEC-Q101等國際車規標準，逐步替代英飛凌、安森美等海外廠商的中高端市場份額。同時，光電耦合器及LED產品已應用于工業自動化、醫療設備等領域， 并與多家客戶合作，開發高精度傳感器及電源管理模塊。